अस्थिर स्मृती आणि नॉन-अस्थिर स्मृतीमध्ये काय फरक आहे?


उत्तर 1:

अस्थिर मेमरी - स्टोरेज माध्यम ज्यास उर्जा स्त्रोताची आवश्यकता असते.

सर्वोत्कृष्ट उदाहरण म्हणजे डीआरएएम, जे कॅपेसिटन्सवर आधारित ऑपरेट करते. प्रत्येक बिट मूल्य एका कॅपेसिटरमध्ये चार्ज करण्यासाठी संबंधित आहे. कॅपेसिटर गळती झाली आहेत, म्हणूनच डीआरएएमला सतत रीफ्रेश करणे आवश्यक आहे की प्रत्येक कॅपेसिटरने त्याचा योग्य आकार स्तर कायम राखला आहे. जेव्हा डीआरएएम वरून शक्ती काढून टाकली जाते, तेव्हा कॅपेसिटर चार्ज गमावतात आणि मेमरी मिटविली जातात.

अस्थिर नसलेली मेमरी- संचयनास उर्जा स्त्रोताची आवश्यकता नसते.

उदाहरणार्थ फ्लॅश ड्राइव्ह्स, केवळ वाचनीय मेमरी, एसएसडी इत्यादींचा समावेश आहे फ्लॅश ड्राइव्ह्ज वीज पुरवठा नसतानाही स्टोरेज चार्ज (उदा. आणि अशा प्रकारे बिट स्टोरेज व्हॅल्यूज) संचयित करण्यासाठी फ्लोटिंग गेट ट्रान्झिस्टर समाकलित करतात.


उत्तर 2:

आपला मानक डीआरएएम प्रकार व्होटाईल मेमरी याचा अर्थ असा आहे की मेमरीवर शक्ती कमी झाल्यानंतर ती माहिती राखत नाही.

नॉन-अस्थिर मेमरी आपली, अधिक प्रगत, परंतु तरीही मुख्य प्रवाहात, प्रॅम, फ्रॅम आणि एमआरएएम प्रकार आहेत, जे मेमरी संचयित करण्यासाठी चुंबकीय वापर करतात. या प्रकारच्या मेमरीबद्दल खरोखर खास गोष्ट म्हणजे ती शक्ती त्यांच्याकडे गेल्यानंतरही ते मेमरी साठवतात आणि त्यांचे क्षीण होत नाही, वयानुसार ते कधीही काम करणे थांबवणार नाहीत! हे मॉड्यूल्स खूप महाग आहेत आणि सध्या रॅमच्या किंमतींचा विचार केल्यास हे आतापर्यंतच्या सर्वात महाग रॅम असतील.


उत्तर 3:

अस्थिर (व्ही) मेमरीला त्याची सामग्री टिकवून ठेवण्यासाठी सतत शक्तीचा स्रोत आवश्यक असतो, नॉन-अस्थिर * एनव्ही) मेमरी करत नाही.

व्ही मेमरीची उदाहरणे म्हणजे डीआरएएम, एसआरएएम आणि आयआरएएम

रॉम, फ्लॅश, ईईप्रोम, एफ-रॅम, इत्यादी एनव्ही मेमरीची उदाहरणे आहेत.

तर व्ही मेमरी मुख्य प्रणाली मेमरीसाठी का वापरली जाते आणि एनव्ही पर्याय नाहीत? साधे उत्तर - एनव्ही मेमरीमध्ये अयशस्वी होण्यापूर्वी लिहिण्याची एक मर्यादित संख्या असते, व्ही मेमरीमध्ये समान समस्या येत नाहीत.

एनव्ही सहसा 100,000 ते 1,000,000 दरम्यानचे लेखन अयशस्वी होण्यापूर्वी सहन करते, जर आपण ते सिस्टम मेमरी म्हणून वापरत असाल तर रॅमला किती वेळा लिहिण्यात आले आहे हे दिले असल्यास ते लहान क्रमाने अयशस्वी होईल.

आशा आहे की मदत करते.